연구 개요
현재 연세대학교 BLISS Lab을 이끄는 서정목 교수가 당시 연세대학교 전기전자공학부 나노바이오소자연구실(Nanobio Device Laboratory) 소속으로 공저자로 참여한 연구로, 단일벽 탄소나노튜브(SWNT)를 함유한 고분자 복합재를 유연 직접변환형 X선 검출기의 활성층으로 사용했습니다. 150 V 역바이어스에서 SWNT 농도를 0에서 0.01 wt.%로 높이면 X선 유도 광전류가 2.86 nA에서 10.67 nA로 증가했으며, 감도와 신호대잡음비(SNR)를 함께 고려한 최적 농도는 0.005 wt.%였습니다.
연구 배경
텔루르화카드뮴, 탄화규소, 비정질 셀레늄 같은 무기 X선 검출 재료는 검출 효율이 높지만 비용이 높고 깨지기 쉬우며 유연하게 만들기 어렵고, 유연성을 위해 층을 얇게 하면 X선 흡수가 줄어듭니다. 반도체 고분자는 유연 기판 위에서 대면적으로 가공할 수 있지만, 유기 직접변환형 검출기에서는 유기 재료의 낮은 전자 이동도 때문에 X선이 만든 엑시톤이 재결합하여 광전류가 제한됩니다.
설계와 접근
금속성 SWNT를 공액 블록공중합체 poly(styrene-b-paraphenylene)(PS-b-PPP)로 톨루엔에 분산하고, p형 고분자 Super Yellow와 섞어 SWNT 농도 0~0.1 wt.%의 복합 용액을 만들었습니다. 60 nm 금(Au) 전극이 있는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기판에 5 μm 두께의 복합막을 드롭캐스팅하고 LiF(5 nm)와 Al(60 nm)을 증착했습니다. SWNT의 전자친화도가 고분자보다 커서 SWNT-고분자 계면에서 전자는 나노튜브로, 정공은 고분자로 이동하므로 X선 유도 엑시톤이 재결합하기 전에 분리됩니다.

단일벽 탄소나노튜브를 넣은 유연 고분자 X선 검출기의 구조와 전하 분리 원리를 보여 줍니다.
Heetak Han, Sanggeun Lee, Jungmok Seo 외. “Enhancement of X-ray detection by single-walled carbon nanotube enriched flexible polymer composite”. Figure 1. DOI: 10.1186/1556-276x-9-610. CC BY 4.0. 그림 내용은 변경하지 않았습니다.
평가 방법
주사전자현미경(SEM)으로 분산 상태를 확인하고, 활성 면적 3 × 3 mm2 소자의 암전류-전압(I-V) 특성과 구리 타깃에서 발생한 8.06 keV Kα X선 아래의 광전류를 측정했습니다. 광전류는 역바이어스와 선량률에 따라 측정했고, 시간 응답은 선량률 7 mGy/s에서 셔터를 30초 간격으로 여닫으며 기록했습니다. 감도는 광전류-선량률 기울기를 활성 부피로 나누어 구했고, SNR은 광전류와 암전류의 비로 정의했으며, 0.005 wt.% 소자를 여러 굽힘 반경과 반복 굽힘 조건에서 시험했습니다.
연구 내용과 주요 결과
SEM에서 0.1 wt.% 복합막에도 심한 SWNT 응집은 관찰되지 않았습니다. 암전류 I-V 곡선은 SWNT 0.01 wt.%까지 정류 특성을 유지했지만 0.015 wt.%를 넘으면 양극성 특성을 보였으며, 연구진은 금속성 SWNT가 전도를 지배하기 때문으로 해석했습니다. 150 V, 7 mGy/s에서 광전류는 SWNT가 없을 때 2.86 nA, 0.01 wt.%에서 10.67 nA로 약 273% 컸습니다. 0.000 wt.%와 0.005 wt.% 소자는 바이어스에 따라 광전류가 포화되었지만 0.010 wt.% 소자는 포화되지 않았습니다.
광전류는 60 V, 90 V, 120 V에서 선량률에 선형으로 비례해 Fowler 모델을 따랐습니다. 다만 0.010 wt.% 소자는 -120 V에서 광전류가 갑자기 증가했고 시간 응답도 포화되지 않았습니다. 에너지 띠 분석에서 일함수 4.5 eV인 SWNT를 넣으면 쇼트키 장벽 높이가 전자는 2.3 eV에서 0.6 eV로, 정공은 0.8 eV에서 0.3 eV로 낮아져 접촉이 오믹에 가까워지고 공간전하제한전류가 흐르며, 연구진은 이를 느리고 포화되지 않는 응답의 원인으로 보았습니다.
150 V에서 감도는 SWNT 농도 0, 0.005, 0.01 wt.%에서 각각 12.5, 16.9, 38.9 μC/mGy/cm3였습니다. 0.010 wt.% 소자는 감도가 가장 높았지만 오믹에 가까운 접촉으로 암누설전류가 커져 SNR이 가장 낮았으며, -150 V에서 약 0.18이었습니다. 이에 연구진은 SWNT가 없는 소자보다 감도와 SNR이 모두 향상된 0.005 wt.%를 최적 농도로 선정했습니다.
7 mGy/s, 120 V 조건에서 0.005 wt.% 소자의 암전류는 굽힘 반경에 따라 구별할 만한 변화가 없었고 X선 유도 전류는 약간 변했습니다. 반경 0.5 cm로 1,000회 굽히며 100회마다 전류를 측정한 결과, 소자는 안정적인 X선 응답을 유지했습니다.
남은 과제
연구진은 SWNT에 의한 향상이 전극 접촉에 의해 제한된다고 밝혔습니다. SWNT 농도가 높으면 쇼트키 장벽이 낮아져 응답이 느리고 불안정해지며 암전류가 커지므로, 감도와 SNR의 균형을 고려해 SWNT 함량을 정해야 합니다.
함께 읽을 연구
Organic Semiconducting Single Crystals as Next Generation of Low‐Cost, Room‐Temperature Electrical X‐ray Detectors
관련 논문의 초록은 유기 단결정에서의 실온 직접 X선 검출과 안정적인 선량률 응답을 보고합니다. 나노튜브를 넣은 고분자 복합재와는 전하 수송 재료의 선택이 다릅니다.
초록을 참고한 소개RESEARCH NEWS
연구 소식
해설에 사용한 자료
이 해설은 오픈 액세스 논문(Europe PMC, PMC4493992)의 본문, 그림 설명과 표 1을 출판사 PDF와 대조해 작성했으며, 보충자료는 검토하지 않았습니다. 본문은 그림 5b의 굽힘 시험 조건을 그림 4a와 같다고 적고 있습니다.