연성 기판–배선 계면. 패터닝, 기판 부착, 변형 중 전기적 연속성을 중심으로 분류한다.
착용형·연성 전자기기는 움직이는 동안에도 신호와 전력을 전달해야 합니다. 액체금속과 전도성 섬유, 하이드로젤 등으로 전기적 경로를 만들고, 소재의 변형과 전기적 특성이 어떻게 연결되는지 살펴봅니다. 변형을 감지하는 전극과 변형 중 전도성을 유지하는 배선은 각각의 목적에 맞추어 설명합니다.
전도체 자체가 늘어나는 성질과 부품 사이 접합부가 반복 변형을 견디는 성질은 함께 확인해야 합니다. 연성 회로와 IC 칩의 접속을 다룬 패키징 종설에서는 재료의 저항뿐 아니라 접촉 저항, 접점 간격과 반복 하중 조건을 살펴볼 수 있습니다.
액체금속과 같은 전도성 재료를 배치하고 연결하여 전극이나 배선을 만드는 연구입니다.
Advanced Science, e78062 (2026), Early View
분사 인쇄 중 전도성을 띠는 PVA 개질 액체금속 입자 잉크로, 후처리 없이 1.5 × 10^6 S m−1의 전도도와 200% 이상 변형에서 전기적 연속성을 보였습니다.
Industrial Chemistry & Materials, 2(3), 361-377 (2024)
바이오전자소자용 액체 기반 전도체, 액체 주입 봉지, 액체 기반 접착제를 재료군별 한계와 함께 정리한 종설입니다.
Advanced Functional Materials, 34(31), 2311696 (2024)
RGO로 감싼 EGaIn 입자를 결합한 신축성 액체금속 전극으로, 30% 인장 200회 뒤에도 아스코르브산·도파민·요산 신호를 구분해 검출했습니다.
섬유와 연성 소재의 전기적 특성을 활용한 배선, 센서, 전극을 살펴봅니다.
International Journal of Bioprinting, 9(5), 765 (2023)
PVA/탄닌산/PAA 하이드로젤 잉크를 약 100 μm 해상도로 3D 인쇄하고, CNT 6 mg/mL를 넣어 약 0.95 S/m 전도도와 절단 후 전기 연결 회복을 보였습니다.
ACS Applied Materials & Interfaces, 10 (42), 36094-36101 (2018)
Kevlar 섬유에 은 나노입자-SBS 복합층과 불소계 단분자막을 입혀, 20회 세탁 후에도 0.11~0.28 Ω/cm를 유지하고 물과 오염을 밀어내는 전도성 섬유입니다.
ACS Nano, 12(5), 4259-4268 (2018)
다중 필라멘트 탄성 섬유 내부에 은 나노입자를 형성한 변형 센서로, 첫 신장에서 게이지 계수 약 9.3 × 10^5와 450%의 감지 범위를 보였습니다.
Journal of Semiconductors, 39 (1), 011009 (2018)
탄소·금속 나노소재와 하이드로젤로 만든 하이브리드 미세섬유를 섬유 전자소자, 압력 센서, 바이오센서, 조직공학 관점에서 정리한 종설입니다.
Advanced Functional Materials, 25 (21), 3114-3121 (2015)
습식 방사한 SBS 섬유 속 은 나노와이어가 은 나노입자 연결망을 이어 220% 변형까지 전도를 유지했고, 섬유 다섯 가닥을 단 장갑으로 수화 문자를 인식했습니다.
Advanced Materials, 27 (15), 2433-2439 (2015)
SBS 속 은 나노입자로 전도성을 준 케블라 섬유에 PDMS를 입혀 교차시킨 직물형 정전용량 압력 센서로, 2 kPa 이하에서 0.21 kPa−1의 감도를 보였습니다.
전도성 재료를 지지하거나 내부에 포함하는 유연한 기판을 다룹니다.
ChemNanoMat, 5(6), 729-737 (2019)
고무질 전기방사 섬유 매트 안에서 PEDOT를 중합해 약 5 S/cm의 전도도, 신장·굽힘에 따른 저항 변화, 심장세포 배양 지지를 확인했습니다.
이 테마로 이어질 수 있는 기초 소재·공정 연구의 임시 분류. 테마 적합성을 확정하지 않으며 논문별 판단 근거와 불확실성을 표시한다.
NPG Asia Materials, 8(4), e262 (2016)
갈바닉 치환 반응으로 CVD 그래핀의 결함에 팔라듐 나노입자를 선택적으로 형성해 면저항을 약 1 kΩ/sq에서 173 Ω/sq로 낮춘 연구입니다.
Applied Surface Science, 344, 52-56 (2015)
그래핀 트랜지스터에 5, 10, 15 MeV 양성자를 조사한 결과, 5와 10 MeV에서는 공공형 결함이, 15 MeV에서는 주로 sp3형 신호와 디랙점 평탄화가 나타났습니다.
Scientific Reports, 5, 12306 (2015)
실리콘 나노시트와 산화막을 제거한 웨이퍼로 환원제 없이 산화그래핀을 환원해, 나노시트 환원 분말의 C/O 비가 2.12에서 약 9.32로 높아졌고 웨이퍼 위 막은 3.54 KΩ/sq였습니다.
Thin Solid Films, 519 (2), 823-828 (2010)
열로 사전 변형한 PDMS 위에서 두께 270 nm 비정질 실리콘 막이 물결, 무작위, 헤링본 주름을 형성했으며, 물결·무작위 주름의 진폭은 결정질 실리콘 좌굴 모델과 일치했습니다.